【未分类_HGTG27N60C3R】封装/厂家_HGTG27N60C3R中文资料_价格

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型号： HGTG27N60C3R
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG27N60C3R由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG27N60C3R价格参考。HarrisHGTG27N60C3R封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG27N60C3R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG27N60C3R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG27N60C3R 是安森美（onsemi）推出的高压高速IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别（注：严格而言，HGTG27N60C3R 是IGBT，非MOSFET，但常归类于广义功率开关器件）。其额定电压600V、电流27A，内置续流二极管，采用TO-247封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=27A）、快速开关特性及良好的短路耐受能力。

典型应用场景包括：  
✅ 工业变频器与伺服驱动器——用于电机控制逆变桥臂，实现高效PWM调速；  
✅ 感应加热电源——在高频（20–100kHz）谐振电路中作为主开关，兼顾效率与热稳定性；  
✅ 不间断电源（UPS）——在在线式UPS的DC-AC逆变环节，提供可靠功率转换；  
✅ 光伏并网逆变器（中小功率组串式）——适配600V母线电压等级，支持高效率MPPT跟踪；  
✅ 电磁炉与大功率开关电源——替代传统MOSFET，在中高功率段实现更优性价比与温升表现。

该器件不适用于超低电压（<100V）或极高频率（>500kHz）场景，亦非逻辑电平驱动，需匹配合适栅极驱动IC（如NCV57000）以确保可靠开通/关断。综上，HGTG27N60C3R 主要面向中高功率、中高频工业与家电级电力电子变换系统。

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