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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD6N40E1S由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD6N40E1S价格参考。HarrisHGTD6N40E1S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTD6N40E1S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTD6N40E1S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTD6N40E1S 是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的高压、高速IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别(注:严格而言,HGTD6N40E1S为IGBT,非MOSFET;型号中“E1S”代表其采用TO-247AD封装并优化了开关与导通损耗平衡)。其典型参数包括:400V集电极-发射极击穿电压(VCEO)、6A额定集电极电流(IC)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=6A)、快速开关特性及内置反并联二极管。 该器件主要面向中功率、高频开关应用,典型应用场景包括: ✅ 工业变频器与电机驱动:用于380V级三相逆变电路,驱动中小功率交流电机(如风机、水泵、自动化设备),兼顾效率与温升控制; ✅ 感应加热电源:适用于20–100kHz工作频率的谐振式加热系统(如电磁炉、工业热处理设备),利用其快速关断能力降低开关损耗; ✅ UPS不间断电源:作为DC-AC逆变级核心开关器件,提升转换效率与系统可靠性; ✅ 光伏逆变器辅助电路:用于组串式逆变器中的DC-DC升压或旁路保护模块; ✅ 高可靠性电源模块:如通信电源、服务器PFC+LLC次级同步整流驱动等对EMI和热稳定性有要求的场景。 其TO-247AD封装支持良好散热,适合自然冷却或小型风冷设计。需配合合适驱动电路(如±15V栅极驱动、负压关断)以确保可靠开通/关断,并抑制米勒效应引起的误导通。