【未分类_HGTD3N60C3S】封装/厂家_HGTD3N60C3S中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGTD3N60C3S
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD3N60C3S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD3N60C3S价格参考。HarrisHGTD3N60C3S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD3N60C3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD3N60C3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD3N60C3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、3A高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值1.8Ω）、快速开关特性及增强的体二极管反向恢复性能。

其主要应用场景包括：  
✅ 中小功率离线式开关电源（SMPS）：如适配器、充电器、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路或主功率开关；  
✅ LED照明驱动：适用于隔离/非隔离型恒流驱动方案，尤其在高效率、小体积要求的商业及工业LED灯具中；  
✅ 家电与工业控制电源：如变频空调辅助电源、PLC电源模块、电机驱动板的次级侧DC-DC转换；  
✅ DC-DC变换器：在48V输入系统（如电信/服务器中间总线）中用作同步整流或降压开关；  
✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电路径的高边/低边开关控制（需配合驱动设计）。

该器件不适用于大电流硬开关逆变或高频谐振拓扑（如LLC主开关），因其3A额定电流和封装热阻限制了持续高功率应用。设计时需注意PCB散热、栅极驱动强度（推荐10–15V驱动）及体二极管换流应力，以发挥其快速体二极管优势并避免误触发。

综上，HGTD3N60C3S 定位于高效、紧凑、成本敏感的中小功率AC-DC与DC-DC电源应用。

产品参数图文手册常见问题