【未分类_HGT1S7N60B3】封装/厂家_HGT1S7N60B3中文资料_价格

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型号： HGT1S7N60B3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S7N60B3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S7N60B3价格参考。HarrisHGT1S7N60B3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S7N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S7N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S7N60B3 是一款由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600V，典型导通电阻Rds(on)约1.4Ω（Vgs=10V），具备快速开关、低开关损耗和高抗雪崩能力等特点。  

其主要应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、服务器电源及工业电源的PFC（功率因数校正）电路与主功率开关级，尤其适合连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrCM）PFC设计。  
✅ LED驱动电源：适用于中大功率LED路灯、工矿灯等恒压/恒流驱动方案，满足高效率与长寿命要求。  
✅ 逆变器与电机驱动：可用于小功率变频器、风机/水泵驱动、家用电器（如变频空调压缩机驱动）中的半桥/全桥拓扑。  
✅ 工业控制与UPS系统：在不间断电源（UPS）的逆变输出级、工业PLC电源模块中提供可靠高频开关性能。  

注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于需要高电流低饱和压降的硬开关IGBT场景；其600V耐压与中等电流能力（ID≈7A连续）使其定位在中功率、高频（数十kHz至百kHz级）、高能效应用。需配合优化栅极驱动（如负压关断）与散热设计以发挥最佳性能。

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