【未分类_HGT1S3N60C3D】封装/厂家_HGT1S3N60C3D中文资料_价格

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型号： HGT1S3N60C3D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S3N60C3D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S3N60C3D价格参考。HarrisHGT1S3N60C3D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S3N60C3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S3N60C3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S3N60C3D 是 Harris Corp.（现已被 L3Harris Technologies 收购）推出的一款高压超结（Super Junction）N沟道功率MOSFET，而非IGBT（原问题中“UBGT”应为笔误，实际为MOSFET）。该器件具有600V耐压、3A连续漏极电流、低导通电阻（Rds(on)典型值约2.5Ω）、内置快速恢复体二极管（带“D”后缀标识），并采用TO-220AB封装。

其主要应用场景包括：  
• 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率开关；  
• 电机控制：用于小功率无刷直流（BLDC）电机驱动、家电（如风扇、水泵）的变频控制模块；  
• 工业电源与逆变器：在中小功率DC-AC逆变、光伏微逆变器辅助电源、工业PLC电源模块中作为高频开关元件；  
• 电磁加热与感应加热：凭借快速开关特性和抗dv/dt能力，适用于谐振式加热电路的半桥/全桥开关；  
• 通用高压DC/DC转换：如通信设备二次电源、电池管理系统（BMS）中的隔离供电单元。

需注意：该器件不适用于大电流硬开关或极高频率（>500kHz）场景；设计时应重视栅极驱动强度、PCB布局及散热管理。由于Harris半导体业务已整合至L3Harris，当前供货及技术支持建议通过授权分销商（如Arrow、Avnet）或L3Harris官方渠道确认。

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