【未分类_HGT1S20N60B3S】封装/厂家_HGT1S20N60B3S中文资料_价格

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型号： HGT1S20N60B3S
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N60B3S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N60B3S价格参考。HarrisHGT1S20N60B3S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S20N60B3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S20N60B3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S20N60B3S 是一款由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600V、连续漏极电流20A，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.22Ω）、快速开关特性及内置ESD保护和雪崩耐量设计。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信电源、工业电源的主功率开关管，尤其适用于LLC谐振、准谐振（QR）及硬开关PFC升压电路，提升效率与功率密度；  
✅ 不间断电源（UPS）与逆变器：在DC-AC逆变级中承担高频开关任务，支持高效能量转换；  
✅ 电机驱动：适用于中小功率变频器（如风机、泵类家电及工业设备驱动），配合栅极驱动IC实现精准PWM控制；  
✅ LED驱动电源：用于高效率、高PF值的隔离式/非隔离式恒流驱动方案；  
✅ 光伏微逆变器与储能系统：满足高可靠性、宽温度范围（-55℃~+150℃）要求，在分布式能源转换中稳定运行。

注：该器件为单N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于低频大电流硬换向场景（如焊机主开关），亦不推荐替代IGBT使用。选型时需注意匹配驱动电压（10–15V）、优化PCB布局以抑制寄生振荡，并确保散热设计满足功耗需求。

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