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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HAT2165N-EL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2165N-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2165N-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2165N-EL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2165N-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2165N-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2165N-EL-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（HSOP8），具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A）及优异的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率有刷/无刷直流电机控制（如风扇、泵、自动化执行器），支持高频PWM驱动与快速关断； 3. 负载开关与电源管理：在FPGA、ASIC或微处理器供电系统中作为高效热插拔/电源排序开关，集成过热保护特性增强系统可靠性； 4. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101（注：需确认具体批次认证状态），可用于车载照明控制、车窗升降、座椅调节等12V/24V低压模块（非安全关键路径）； 5. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或轻型储能系统中用作充放电路径开关或均衡开关。 该器件强调高功率密度与热稳定性，配合其优化的封装热阻（Rth(j-c) ≈ 1.0°C/W），适合空间受限且需持续高负载的应用场景。实际选型时建议结合散热设计、驱动电压（推荐10V驱动以达最佳Rds(on)）及系统EMI要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2165N-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-LFPAK-iV |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Ta） |
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