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详细数据请看参考数据手册
- 型号： GA35XCP12-247
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GA35XCP12-247由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GA35XCP12-247价格参考。GeneSiC SemiconductorGA35XCP12-247封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GA35XCP12-247参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GA35XCP12-247 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 35A |
| 描述 | IGBT 1200V SOT247IGBT 晶体管 1200V 35A SIC IGBT CoPak |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 50nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GA35XCP12-247 |
| SwitchingEnergy | 2.66mJ （开）， 4.35mJ （关） |
| TestCondition | 800V， 35A， 22欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3V @ 15V， 35A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
| 其它名称 | 1242-1141 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 36ns |
| 商标 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AB |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | SiC |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 0.3 mA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 系列 | GA35XCP12 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3 V |
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