Datasheet下载- 型号： FW812-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW812-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW812-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW812-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW812-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW812-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW812-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及紧凑尺寸等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口保护电路，利用其双MOSFET结构实现高效、低功耗的电源通断控制。 - DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，替代肖特基二极管，显著降低导通损耗，提升转换效率（尤其在1–3A中等电流应用中）。 - 电池供电系统保护与切换：用于单节锂电（2.5–5.5V工作电压范围）设备中的电池充放电路径管理、主备电源自动切换（如USB/电池供电冗余设计）。 - H桥电机驱动（小功率）：配合外部驱动电路，可构成微型直流电机或振动马达的双向控制单元（需注意该器件为双N-MOS，需搭配电荷泵或高边驱动方案）。 - LED驱动与逻辑电平转换：适用于多路LED恒流调光控制或I²C/SPI等接口的电平位移与信号隔离。 FW812-TL-E不适用于高压（>20V）或大电流（持续>3A）场景，其设计侧重于空间受限、高能效的消费类和工业嵌入式应用。实际使用中需注意PCB散热设计与栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 35V 10A DUAL 8SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW812-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
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