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- 型号： FW282-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW282-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW282-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW282-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW282-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW282-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW282-TL-E 是由 ON Semiconductor（安森美）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOP-8 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 25 mΩ @ Vgs=4.5V）、逻辑电平驱动（1.8V 即可有效开启）、低栅极电荷等特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），与外置上管配合实现高效率、小体积的电源模块，适用于笔记本电脑、机顶盒、网络设备等中低功率（<20W）供电系统。 2. 负载开关与电源管理：集成双MOSFET结构便于实现双路独立或并联控制，适用于主板/工控板上的多路电源域上电时序控制、USB端口过流保护开关、热插拔电路等。 3. 电机驱动与LED调光：适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵）的H桥低端驱动，或作为PWM调光的LED电流开关，满足低功耗、快速响应需求。 4. 电池管理系统（BMS）辅助电路：用于电池充放电路径的保护开关、电量计采样通路控制等低频切换场景。 该器件不适用于高压（>30V）或大电流（持续>5A）连续工作场合，需注意散热设计及PCB铜箔面积。其无内置体二极管反向续流能力（实际有，但需参考规格书体二极管参数），在感性负载应用中建议外部加续流二极管以提升可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 35V 6A 8SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW282-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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