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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FST7335M由GENESIC SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FST7335M价格参考。GENESIC SEMIFST7335M封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FST7335M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FST7335M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FST7335M 是 GeneSiC Semiconductor 推出的一款碳化硅(SiC)肖特基二极管阵列,采用双共阴极(Dual Common-Cathode)结构,额定电压为3.3 kV,额定电流为35 A(Tc=125°C),具备零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)、高开关速度、低导通压降及优异的高温稳定性。 其典型应用场景包括: • 高压高频电力电子变换器:如3.3 kV等级的中压光伏逆变器、储能系统(ESS)双向DC/DC变换器,可显著提升效率与功率密度; • 固态断路器(SSCB)与固态继电器(SSR):利用其快速关断能力与高dv/dt耐受性,实现毫微秒级故障隔离; • 牵引变流器与工业电机驱动:适用于轨道交通(如地铁辅助电源、机车牵引辅助系统)及大功率工业变频器,降低开关损耗与散热需求; • 感应加热与高频电源:在10–100 kHz高频工作条件下,相比传统Si或SiC MOSFET体二极管,可消除反向恢复损耗与振荡,提升系统可靠性; • 新能源并网接口:用于3.3 kV直流母线的整流/续流模块,支持柔性直流输电(HVDC)换流阀子模块中的箝位与能量回馈路径。 该器件采用行业标准TO-247-3L封装,兼容现有Si平台设计升级,无需大幅改动驱动与散热方案,是替代传统Si快恢复二极管(FRD)或Si IGBT反并联二极管的理想高性能方案。