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- 型号： FQT3P20TF_SB82100
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQT3P20TF_SB82100由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQT3P20TF_SB82100价格参考。Fairchild SemiconductorFQT3P20TF_SB82100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQT3P20TF_SB82100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQT3P20TF_SB82100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQT3P20TF_SB82100 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）推出的一款专用IC，实为采用SuperFET™ II 技术的P沟道增强型高压MOSFET（非传统意义的“专用IC”如ASIC或ASSP，但常被归类于“电源管理专用器件”）。其关键参数：VDS = –200 V，ID = –1.5 A（连续），RDS(on) ≈ 6 Ω（典型值），TO-220F封装，带快速体二极管。 主要应用场景包括： ✅ 离线式AC-DC电源的次级侧同步整流或待机电源控制（如适配器、充电器中的高压侧开关）； ✅ LED驱动电路中的高压恒流开关，用于隔离式反激/降压-升压拓扑的高端开关； ✅ 工业控制与家电中的继电器替代方案，用于控制200V交流负载（如电机启停、加热元件通断）； ✅ 电信设备与电表中的过压保护/电源切换模块； ✅ 高压DC-DC变换器中的半桥/单端拓扑高端开关（需搭配栅极驱动设计）。 注：该器件强调高雪崩耐量、低开关损耗及良好dv/dt抗扰性，适用于中功率、高可靠性要求的工业及消费类电源系统。实际应用中需注意栅极驱动电压（–10 V至–20 V推荐）、PCB散热及EMI抑制设计。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQT3P20TF_SB82100 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 335mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FQT3P20TF_SB82100CT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 670mA （Tc） |
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