Datasheet下载- 型号： FQP2N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP2N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP2N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQP2N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP2N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP2N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP2N80 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。以下是 FQP2N80 的一些典型应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FQP2N80 常用于开关电源中作为开关器件。其高耐压（800V）特性使其适合处理高压输入环境，例如将交流电整流后转换为稳定的直流输出。 - 它可以用于降压、升压或反激式拓扑结构中的主开关管。 2. 电机驱动 - 在电机驱动电路中，FQP2N80 可用作开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率，特别适用于中小功率电机应用。 3. 逆变器 - 该器件适用于小型逆变器中，将直流电转换为交流电。例如，在太阳能逆变器或不间断电源 (UPS) 中，FQP2N80 能够实现高效的电力转换。 4. 负载开关 - 在需要动态控制负载通断的系统中，FQP2N80 可作为负载开关使用。例如，在汽车电子或工业设备中，它可以快速切断或接通大电流负载。 5. 继电器替代 - 由于其快速开关特性和可靠性，FQP2N80 可以替代传统机械继电器用于高频开关应用，从而减少磨损并提高系统寿命。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中，FQP2N80 可用作保护开关。当检测到异常电流时，迅速切断电路以保护其他组件。 7. 家电与消费电子 - 在家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）中，FQP2N80 可用于控制压缩机、风扇或其他电动部件的工作状态。 - 在音响功放、LED 驱动等消费电子产品中，它也可用作功率放大或调光控制元件。 8. 汽车电子 - FQP2N80 的高耐压能力使其适合汽车电子中的各种应用，例如电动车窗、雨刷器、座椅加热器等的控制。 总结 FQP2N80 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能，成为许多功率控制和开关应用的理想选择。无论是在工业、消费还是汽车领域，它都能提供稳定且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220MOSFET 800V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP2N80QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP2N80 |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 2.65 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
| 系列 | FQP2N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP2N80_NL |
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