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- 型号： FQNL2N50BBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQNL2N50BBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQNL2N50BBU价格参考。Fairchild SemiconductorFQNL2N50BBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQNL2N50BBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQNL2N50BBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQNL2N50BBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，额定电压500V，连续漏极电流约2.5A（Tc=25℃），Rds(on)典型值为4.5Ω，具备快速开关特性和内置ESD保护。 其主要应用场景包括： 1. 中小功率AC-DC适配器与充电器：用于反激式（Flyback）或准谐振（QR）拓扑的初级侧开关，适用于手机/物联网设备等低功耗电源； 2. LED驱动电源：在隔离型LED恒流驱动电路中作为主开关器件，满足能效要求（如Energy Star、DoE VI级）； 3. 工业控制电源模块：如PLC辅助电源、传感器供电单元中的离线式DC-DC转换； 4. 家电待机电源（Standby SMPS）：因具备低启动电流和良好轻载效率，适合电视、机顶盒等设备的绿色待机电路； 5. 电机控制辅助电路：非主驱应用，如小型风机、水泵的控制板中用于电源管理或继电器驱动。 该器件强调高可靠性与热稳定性（结温达150℃），且TO-263封装便于散热与自动化贴片生产，适用于对成本、尺寸及能效有综合要求的中低端高压开关场景。不适用于大电流（>3A）或高频（>100kHz）主功率变换场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQNL2N50BBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 欧姆 @ 175mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92L |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 标准包装 | 6,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA （Tc） |
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