Datasheet下载- 型号： FQI9N25CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI9N25CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI9N25CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI9N25CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI9N25CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI9N25CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI9N25CTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，额定电压250V，连续漏极电流9A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on)为0.35Ω（Vgs=10V）。其高耐压、中等电流及低导通损耗特性，适用于中等功率开关应用。 典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源副边同步整流或主开关（在中小功率段）、LED驱动电源中的PWM开关管； - 电机控制：小型直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥驱动单元中的单管开关（需搭配驱动与保护电路）； - 工业控制：PLC输出模块、继电器替代固态开关、电磁阀/加热元件的通断控制； - 照明系统：大功率LED恒流驱动电路中的调光开关或过流保护开关； - 家电与消费电子：微波炉磁控管驱动、空调风扇控制、电动工具电池保护板中的充放电路径开关。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），增强系统鲁棒性；但需注意其栅极阈值电压约2–4V，建议使用≥10V驱动以确保充分饱和，避免温升过高。实际设计中应配合合理散热（如加装散热片）、栅极电阻抑制振荡，并预留足够电压裕量（如工作母线电压≤200V）以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI9N25CTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 430 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Tc） |
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