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- 型号： FQI9N08LTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI9N08LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI9N08LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI9N08LTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI9N08LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI9N08LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI9N08LTU 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，额定电压80V、连续漏极电流9A（Tc=25℃），采用TO-251（IPAK）表面贴装封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为0.28Ω @ Vgs=10V，0.35Ω @ Vgs=4.5V）和快速开关特性。其“逻辑电平”设计支持3.3V/5V微控制器直接驱动，无需额外驱动电路。 典型应用场景包括： 1. 直流电源管理：如DC-DC降压转换器（Buck）、同步整流电路中的主开关或续流开关； 2. 电机控制：中小功率有刷直流电机（如风扇、电动工具、家用电器）的H桥或单路驱动； 3. 负载开关：用于板级电源分配、热插拔保护、LED驱动或继电器替代等需低功耗、高可靠通断的场合； 4. 工业与消费电子：PLC输出模块、智能电表电源路径管理、打印机/扫描仪电源系统等对尺寸、效率和成本敏感的应用。 该器件具有内置ESD保护、100%雪崩能量测试（UIS）及符合RoHS标准，适用于中等功率、中高频（数十kHz至百kHz级）开关场景，兼顾效率与驱动简易性。注意实际使用时需合理设计PCB散热焊盘并确保栅极驱动稳定性，以发挥其逻辑电平优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI9N08LTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 4.65A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Tc） |
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