Datasheet下载- 型号： FQI7N10LTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI7N10LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI7N10LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI7N10LTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI7N10LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI7N10LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI7N10LTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-251（IPAK）封装，具有100V耐压、7A连续漏极电流（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)低至0.28Ω（Vgs=10V），支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.0V，可被3.3V/5V MCU直接驱动）。 其主要应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动电源）中的同步整流或主开关； ✅ 电机控制领域，用于驱动直流有刷电机、步进电机的H桥低端开关或风扇调速电路； ✅ 电池供电设备（如便携式仪器、电动工具）中的电源管理与负载开关，得益于低导通损耗和逻辑兼容性； ✅ 工业控制模块中的继电器替代方案、LED恒流调光、电磁阀/螺线管驱动等中频（≤100kHz）开关应用； ✅ 汽车电子辅助系统（非安全关键类），如车载USB充电模块、车灯控制（符合AEC-Q101可靠性标准的同系列衍生型号更适用，但FQI7N10LTU常用于后装或通用工业场景）。 该器件兼顾性价比与易用性，适合对成本敏感、空间受限且需简化驱动设计的中低功率应用。注意实际使用时需合理设计PCB散热及栅极驱动（建议加10–47Ω限流电阻并避免振荡）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI7N10LTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 3.65A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Tc） |
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