Datasheet下载- 型号： FQI6N40CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI6N40CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI6N40CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI6N40CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI6N40CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI6N40CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI6N40CTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）封装，主要参数包括：耐压400V、连续漏极电流6A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值为1.2Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等的主开关管或PFC升压开关； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥驱动电路； ✅ 照明电子：在高效率LED恒流驱动器中作为PWM调光开关或隔离式反激/降压拓扑的功率开关； ✅ 工业控制：用于PLC输出模块、继电器替代固态开关、电感负载（如电磁阀、变压器）的高频通断控制； ✅ 消费电子：电视电源板、充电器次级同步整流（需配合控制器）及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关。 该器件具备良好的热稳定性与雪崩耐量（UIS额定），适合中等功率、中高频（<100kHz）硬开关应用。注意设计时需合理匹配栅极驱动（推荐Vgs=10–15V）、优化PCB布局以降低寄生电感，并配备适当散热措施（如加装散热片）以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI6N40CTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 73W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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