图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQI5N50CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5N50CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5N50CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5N50CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5N50CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5N50CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI5N50CTU 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F封装，额定电压500V，连续漏极电流5A，典型导通电阻Rds(on)约1.4Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的主开关管或PFC升压电路，耐压高、效率优； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或单管驱动； ✅ 照明电子：在高亮度LED恒流驱动、智能调光电源中作为PWM主控开关； ✅ 工业控制：用于PLC输出模块、继电器替代（固态开关）、电磁阀/加热元件驱动等中等功率负载开关； ✅ 逆变器与UPS：在小功率离线式逆变器或后备电源中承担DC-AC转换的初级开关功能。 该器件具备雪崩耐量（UIS Rated），可靠性高，配合合理栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）和散热设计（需加装散热片），可稳定工作于高频（数十kHz至百kHz级）开关工况。不适用于线性放大或极高频（>1MHz）场景。 注：实际选型需结合具体电路的电压裕量、热设计、EMI要求及驱动能力综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5N50CTU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 73W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQI5N50CTU 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商