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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQI5N20TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5N20TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5N20TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5N20TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5N20TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5N20TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSC（Fairchild Semiconductor，现属安森美ON Semiconductor）的FQI5N20TU是一款N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（非绝缘）封装（具体以数据手册为准），主要参数为：VDSS = 200V，ID = 5A（TC = 25°C），RDS(on)典型值约1.4Ω，具备快速开关特性与低栅极电荷。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； 2. 离线式电源系统：用于反激（Flyback）、正激（Forward）等拓扑的初级侧开关，适用于输入电压≤265V AC的通用市电应用； 3. 电机控制：在低功耗直流无刷（BLDC）风扇、小型家电电机驱动中作为功率开关； 4. LED照明恒流驱动：配合PWM调光电路实现高效、低成本的LED电源方案； 5. 工业控制与继电器替代：用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）等需隔离与可靠通断的场合。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS Rated），适合应对感性负载关断时的电压尖峰；其TO-220F封装具备电气隔离特性，便于直接安装于散热器而无需额外绝缘垫片，简化热设计。适用于对成本敏感、中等功率（通常≤100W）、高可靠性要求的消费电子与工业电源领域。实际应用中需注意驱动电压（推荐10V）、PCB布局及散热设计，以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5N20TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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