图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQI50N06LTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI50N06LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI50N06LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI50N06LTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI50N06LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI50N06LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI50N06LTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-251（IPAK）封装，具有60V耐压、50A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为18mΩ @ Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率开关电源（如适配器、工业电源）的同步整流或主开关管； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、泵、电动工具）的H桥或单边驱动电路； ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控设备中用作高效、低损耗的电子开关，实现上电时序控制或过流保护； ✅ LED照明驱动：作为恒流调光或PWM调光的主控开关，支持高频开关以降低EMI； ✅ 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101认证（注：FQI50N06LTU为标准工业级，非车规；若需车规应用，应选用对应AEC-Q101型号如NTMFS/NTBFS系列），但可用于非安全相关的车载附件（如座椅调节、车窗升降等）。 该器件因TO-251封装便于PCB贴装、散热性能优于SOT-23且成本低于TO-220，特别适合空间受限但需兼顾效率与可靠性的中功率应用。使用时建议配合合理栅极驱动（避免米勒效应误导通）及PCB铜箔散热设计，以发挥其低Rds(on)优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI50N06LTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 26.2A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52.4A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQI50N06LTU 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商