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- 型号： FQI4N20TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4N20TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4N20TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4N20TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI4N20TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI4N20TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4N20TU 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型MOSFET，额定电压200V，连续漏极电流4A（Tc=25℃），采用TO-220F封装（全绝缘、无散热片外露），具备低导通电阻（Rds(on)典型值2.5Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动电源）中的主开关管或同步整流管； ✅ 工业控制设备中的继电器替代方案（如PLC输出模块、电机启停控制）； ✅ DC-DC转换器（如Buck/Boost拓扑）中用于200V以下母线电压的功率级开关； ✅ 家电控制板（如变频空调压缩机驱动辅助电路、电磁炉风扇控制、微波炉高压控制）； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关或预充电回路； ✅ 小型逆变器、UPS后备电源中的DC侧开关元件。 该器件不适用于高频大功率（如>100kHz/10W以上）或高di/dt噪声敏感场合，但凭借其可靠性和成熟工艺，在成本敏感、中等性能要求的工业与消费类电子中广泛应用。需注意合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、添加RC缓冲电路及充分散热（TO-220F需安装散热器）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI4N20TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
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