图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4N20封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI4N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI4N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4N20 是 Fairchild(现属onsemi)推出的N沟道增强型MOSFET,额定参数为200V耐压、4A连续漏极电流(Tc=25℃)、Rds(on)典型值为3.5Ω(Vgs=10V),采用TO-220F封装(绝缘型直插封装)。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于中小功率AC-DC适配器、LED驱动电源及PCB内置辅助电源中的初级侧开关或次级同步整流控制开关; 2. DC-DC转换器:在升压(Boost)、降压(Buck)或反激(Flyback)拓扑中作为主开关管,尤其适合24–48V输入、百瓦级以下工业/通信电源模块; 3. 电机控制:用于低速小功率直流电机、步进电机的H桥驱动单元或单向调速电路(如风扇、小型泵类设备); 4. 固态继电器(SSR)与负载开关:替代机械继电器,实现快速、无火花通断控制,常见于PLC输出模块、智能电表负载切换等; 5. LED照明恒流驱动:配合电流检测与PWM控制,构成低成本恒流源,用于路灯、工矿灯等中功率LED模组。 该器件具备良好的雪崩耐量(UIS)、较低的栅极电荷(Qg≈12nC),便于驱动且开关损耗可控,但不适用于高频(>100kHz)或大电流(>5A)连续工作场景。设计时需注意散热(建议加装散热片)及栅极驱动电压(推荐10–15V以确保充分导通)。