Datasheet下载- 型号： FQI3P50TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3P50TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3P50TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3P50TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3P50TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3P50TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3P50TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用TO-220AB封装，额定电压-500 V，连续漏极电流-1.8 A（Tc=25°C），Rds(on)典型值为4.5 Ω（Vgs = -10 V）。其高耐压与中等电流能力，适用于中低频、高侧开关类应用。 典型应用场景包括： 1. 离线式AC-DC电源的辅助电源/待机电路：用于反激或准谐振变换器中的高压侧同步整流或偏置绕组控制开关； 2. 工业控制与家电中的继电器替代方案：在PLC输出模块、智能电表、空调/洗衣机的电机启停控制中，作为高压直流负载（如电磁阀、风扇电机）的高边关断开关； 3. LED驱动电源：在隔离型LED驱动器中用作初级侧过压保护或使能控制开关； 4. 电池管理系统（BMS）中的高压侧保护：配合检测电路实现过压/过温关断功能（需注意其P沟道特性适合高边配置）； 5. 电弧焊设备、UPS及逆变器的辅助电源管理模块：处理数百伏直流母线的可控通断。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），增强了系统鲁棒性；但因导通电阻相对较高、开关速度中等，不适用于高频（>100 kHz）或大电流主功率通路。设计时需注意栅极驱动电压（推荐Vgs ≤ –10 V以确保充分导通）、散热设计（TO-220需配合适当散热器），并避免dV/dt引起的误开通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3P50TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.9 欧姆 @ 1.35A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQI3P50TU 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商