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  • 型号: FQI11P06TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI11P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI11P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI11P06TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI11P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI11P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI11P06TU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQI11P06TU 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,从而提高电源转换效率。
   - 常见应用:AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、充电器等。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启停和转速。
   - 其快速开关特性和低损耗有助于提升电机驱动系统的效率和可靠性。

 3. 负载开关
   - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中,FQI11P06TU 可用作负载开关,实现对不同电路模块的动态供电管理,降低功耗。
   - 它能够快速响应负载变化,同时保持较低的电压降。

 4. 电池管理
   - 在电池管理系统 (BMS) 中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路,防止过充、过放或短路等情况的发生。
   - 它还适用于电池组的充放电路径控制,确保电流在安全范围内流动。

 5. LED 驱动
   - FQI11P06TU 可用于 LED 照明驱动电路中,调节 LED 的亮度或实现恒流驱动功能。
   - 其低导通电阻特性可以减少发热,提高 LED 灯具的能效。

 6. 逆变器和 UPS 系统
   - 在小型逆变器或不间断电源 (UPS) 系统中,该 MOSFET 可用于逆变电路和输出滤波电路,提供稳定的交流输出。

 7. 信号切换
   - 在通信设备或工业控制系统中,FQI11P06TU 可用于信号切换电路,实现对不同信号路径的选择和控制。

 总结
FQI11P06TU 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,在消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域具有广泛的应用价值。其典型工作电压范围为 60V,适合需要中低压功率控制的场景。选择此型号时,需根据具体电路需求评估其额定电流、散热设计及封装兼容性等因素。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FQI11P06TU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

550pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

175 毫欧 @ 5.7A,10V

供应商器件封装

I2PAK

功率-最大值

3.13W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.4A (Tc)

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