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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI11P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI11P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI11P06TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI11P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI11P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI11P06TU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS) - FQI11P06TU 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,从而提高电源转换效率。 - 常见应用:AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、充电器等。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启停和转速。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提升电机驱动系统的效率和可靠性。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中,FQI11P06TU 可用作负载开关,实现对不同电路模块的动态供电管理,降低功耗。 - 它能够快速响应负载变化,同时保持较低的电压降。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路,防止过充、过放或短路等情况的发生。 - 它还适用于电池组的充放电路径控制,确保电流在安全范围内流动。 5. LED 驱动 - FQI11P06TU 可用于 LED 照明驱动电路中,调节 LED 的亮度或实现恒流驱动功能。 - 其低导通电阻特性可以减少发热,提高 LED 灯具的能效。 6. 逆变器和 UPS 系统 - 在小型逆变器或不间断电源 (UPS) 系统中,该 MOSFET 可用于逆变电路和输出滤波电路,提供稳定的交流输出。 7. 信号切换 - 在通信设备或工业控制系统中,FQI11P06TU 可用于信号切换电路,实现对不同信号路径的选择和控制。 总结 FQI11P06TU 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,在消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域具有广泛的应用价值。其典型工作电压范围为 60V,适合需要中低压功率控制的场景。选择此型号时,需根据具体电路需求评估其额定电流、散热设计及封装兼容性等因素。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQI11P06TU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 5.7A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.4A (Tc) |