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- 型号： FQH90N15
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQH90N15由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQH90N15价格参考。Fairchild SemiconductorFQH90N15封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQH90N15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQH90N15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQH90N15 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，主要参数为：VDS = 150 V，ID（连续）= 90 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值仅 8.5 mΩ（VGS = 10 V），采用TO-247封装，具备低导通损耗、高电流承载能力及良好热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 工业电机驱动：用于变频器、伺服驱动器及泵/风机控制中的H桥或半桥功率级，高效开关大电流负载； ✅ 开关电源（SMPS）：适用于1–3 kW级AC-DC电源、DC-DC模块的主开关管，尤其适合硬开关或ZVS拓扑； ✅ 不间断电源（UPS）与逆变器：在在线式UPS输出级或太阳能微逆变器中承担直流到交流转换的关键开关功能； ✅ 电动工具与电池供电设备：配合12–48 V电池系统（如锂电平台），驱动高功率BLDC或有刷电机； ✅ 电磁加热与感应加热电路：作为高频（数十kHz）谐振回路中的主功率开关，利用其快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒）和强抗dv/dt能力。 该器件内置ESD保护与雪崩耐量（UIS额定值达560 mJ），支持可靠单脉冲/重复雪崩工作，适用于对鲁棒性与长期可靠性要求严苛的工业环境。需注意合理设计驱动电路（推荐12–15 V栅极电压）、PCB散热（建议大面积铜箔+散热器）及布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 90A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQH90N15 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 285nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 45A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 450 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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