Datasheet下载- 型号： FQD3N50CTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3N50CTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3N50CTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3N50CTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD3N50CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD3N50CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD3N50CTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有500V耐压、3A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)≈3.5Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与低栅极电荷。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源辅助电路中的高压侧/低压侧开关或PFC级后级开关； ✅ 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动的上/下桥臂（尤其在低频、中小电流场合），如电动工具、风扇、家电控制板； ✅ LED照明驱动：作为恒流/调光开关元件，用于隔离或非隔离式LED驱动器中控制LED串通断或PWM调光； ✅ 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中用作高压直流负载（如电磁阀、小型加热器）的电子开关； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于充电保护、放电回路的过流/短路保护开关（需配合驱动与保护电路）。 该器件强调可靠性与热性能（DPAK封装利于散热），适合中等功率、高电压、中低频（<100kHz）开关应用。不适用于高频谐振拓扑（如LLC）或大电流（>5A）连续导通场景。设计时需注意栅极驱动电压（推荐10–15V）、避免米勒效应误导通，并合理布局PCB以降低寄生电感。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD3N50CTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 365pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
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