Datasheet下载- 型号： FQD2N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N60TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD2N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N60TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其主要参数包括：耐压600V、连续漏极电流2.0A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值为3.8Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 该器件适用于中低功率、高电压的开关电源场景，典型应用包括： ✅ 小功率AC-DC适配器与充电器（如手机/小家电电源）； ✅ LED驱动电源（尤其是隔离式反激拓扑中的主开关管）； ✅ 电机控制电路（如小型直流无刷电机或步进电机的驱动级）； ✅ 电瓶车/电动工具中的低压辅助电源模块； ✅ 家电控制板上的继电器/电磁阀驱动、PWM调光/调速等离散开关功能。 其TO-252封装便于PCB布局与散热设计，兼顾成本与可靠性，适合对体积、效率和EMI有一定要求但非超高功率的消费类及工业控制应用。需注意在实际设计中合理配置栅极驱动电阻、添加RC缓冲网络，并确保足够散热（尤其在连续导通或高频工作时），以发挥其性能并保障长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2N60TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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