Datasheet下载- 型号： FQB7N80TM_AM002
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7N80TM_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7N80TM_AM002价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7N80TM_AM002封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB7N80TM_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB7N80TM_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7N80TM_AM002 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，额定电压800V，连续漏极电流约7A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值1.4Ω）、快速开关特性和良好的雪崩耐受能力。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC/服务器ATX电源、LED驱动电源等的主开关管或PFC（功率因数校正）电路中，尤其适用于反激式（Flyback）和双管正激（Two-Transistor Forward）拓扑。 ✅ 工业控制与电机驱动：适用于中小功率变频器、直流无刷电机（BLDC）控制器中的高压侧开关，以及继电器/电磁阀驱动等需要高电压隔离与可靠关断的场合。 ✅ LED照明系统：在高输入电压（如市电直接整流后）的恒流LED驱动电路中，作为主功率开关，兼顾效率与EMI性能。 ✅ 家电与白色家电：如空调压缩机驱动、微波炉高压电源、洗衣机主控板等需耐高压、抗浪涌的工控类应用。 该器件符合RoHS标准，支持自动光学检测（AOI），适合大规模SMT产线；AM002后缀通常代表特定晶圆批次/工艺版本，确保参数一致性与长期供货稳定性。实际设计中建议配合合适的栅极驱动、RC缓冲电路及散热设计，以发挥其高压、高频、高可靠性优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB7N80TM_AM002 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.3A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A （Tc） |
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