Datasheet下载- 型号： FQB5N40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N40TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N40TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有400V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)为1.2Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； ✅ DC-DC转换器：适用于工业及通信设备中中等功率的隔离/非隔离降压（Buck）、反激（Flyback）拓扑； ✅ 电机控制：可用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动的上/下桥臂开关，或风扇、泵类家电的调速电路； ✅ 照明电子：在高效率LED恒流驱动器中作为PWM调光开关或初级侧功率开关； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC电源、继电器替代固态开关、电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关等。 该器件具备低栅极电荷（Qg≈17nC）和优化的体二极管特性，有助于提升系统效率与EMI性能，同时TO-263封装提供良好散热能力，适合中等功率密度设计。注意需配合合理驱动（≥10V栅极电压）及PCB热设计以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N40TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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