Datasheet下载- 型号： FQB5N20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N20TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有200V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至1.4Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的次级侧同步整流或初级侧开关管（中低功率段）； ✅ DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）及反激（Flyback）拓扑中作为主开关器件，适用于工业控制、通信设备电源模块； ✅ 电机控制：用于小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或单路驱动开关； ✅ LED照明系统：作为恒流驱动或PWM调光开关，支持高效率、低发热运行； ✅ 家电与工业控制：如电磁炉、电风扇、智能电表、PLC输出模块等需中压中流开关功能的场合。 该器件内置ESD保护、具备雪崩耐量（UIS rated），可靠性高；D²PAK封装利于散热，适合自动化贴装与中等功率密度设计。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通）、匹配续流二极管，并加强PCB散热布局以保障长期稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N20TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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