图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQB3N90TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3N90TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3N90TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3N90TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB3N90TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB3N90TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3N90TM 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压功率MOSFET，额定电压900V、连续漏极电流3A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值2.7Ω）、快速开关特性和优良的雪崩耐受能力。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边/辅助电源等中低功率高压场合，承担主开关或PFC后级开关功能； 2. LED照明驱动：在隔离式反激（Flyback）或非隔离式降压（Buck）、降压-升压（Buck-Boost）拓扑中作为功率开关，支持高输入电压（如市电整流后高压直流）； 3. 工业控制与电机驱动：用于小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、继电器替代电路、电磁阀驱动等需高压隔离和可靠通断的场景； 4. 家电与白色家电：如空调室外机控制板、变频微波炉电源模块、洗衣机主控电源等对可靠性及EMI性能有要求的中端应用； 5. 通用高压DC-DC转换：如电池管理系统（BMS）中的高压采样隔离供电、工控设备辅助电源等。 该器件不适用于高频大功率（如>100kHz/10W以上）或大电流（>5A）连续工作场景，设计时需注意散热（建议加装散热器）与栅极驱动优化（避免振荡与过压）。整体定位为性价比突出的中高压、中小电流通用型功率开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3N90TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.25 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQB3N90TM 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商