Datasheet下载- 型号： FQB3N60CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3N60CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB3N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB3N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3N60CTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） FQB3N60CTM 的高电压耐受能力（高达 600V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。它能够高效地控制功率传输，适用于适配器、充电器以及工业电源设备。 2. 电机驱动与控制 在电机驱动电路中，这款 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率，特别适合小型家电、电动工具和工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器与太阳能系统 该器件适用于光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。由于其高耐压特性和良好的动态性能，能够在恶劣环境下稳定运行，确保太阳能发电系统的高效能量转换。 4. 电磁干扰抑制与保护电路 FQB3N60CTM 可用于设计浪涌保护电路或 EMI 抑制电路，保护敏感电子设备免受过压冲击的影响。其快速开关速度和低电容特性有助于减少噪声干扰。 5. 负载切换与继电器替代 在汽车电子和消费电子产品中，该 MOSFET 可作为固态继电器使用，实现对负载的快速切换。相比传统机械继电器，它具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 6. PFC（功率因数校正）电路 在需要功率因数校正的应用中，如 LED 照明驱动器和家用电器，FQB3N60CTM 可以提供高效的功率管理解决方案，满足严格的能效标准。 总结来说，FQB3N60CTM 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及可再生能源领域，是高电压、低损耗功率管理的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3N60CTM |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 565pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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