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  • 型号: FQB27N25TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB27N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB27N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB27N25TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB27N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB27N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB27N25TM 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263(D²PAK)封装,具有250V耐压、27A连续漏极电流(Tc=25℃)、典型导通电阻Rds(on)低至0.11Ω(Vgs=10V),具备快速开关特性与良好的热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源中的主开关管或同步整流管;  
✅ DC-DC转换器:用于工业/通信设备中的Buck、Boost或半桥拓扑,承担高效率功率变换;  
✅ 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动单元;  
✅ 照明电子:LED恒流驱动电路、智能调光电源中的功率开关;  
✅ 逆变器与UPS系统:作为DC/AC逆变级的功率开关器件(需配合驱动与保护设计);  
✅ 工业控制与电源管理模块:如PLC输出级、电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关。

该器件内置ESD保护,符合RoHS标准,适合中高压、中电流的硬开关应用。设计时需注意栅极驱动电压(推荐10–15V)、PCB散热布局及并联使用时的均流考量。不适用于高频谐振(如LLC)或极高dv/dt环境,建议搭配RC缓冲电路以提升EMI性能与可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
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