Datasheet下载- 型号： FQB1N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB1N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB1N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB1N60TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB1N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB1N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB1N60TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有600V耐压、1A连续漏极电流（ID）、典型导通电阻RDS(on)为7.5Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 小功率开关电源（SMPS）：如适配器、充电器中的主开关管（反激式/准谐振拓扑），适用于3–15W输出功率等级； ✅ LED驱动电路：用于隔离/非隔离式LED恒流驱动的初级侧开关，满足能效与可靠性要求； ✅ 家电控制模块：如微波炉、电磁炉、智能插座等设备中驱动继电器、小型电机或加热元件的高压侧开关； ✅ 工业控制与辅助电源：PLC输入/输出模块、传感器供电单元、DC-DC二次侧同步整流（需配合驱动设计）等低压高隔离需求场合； ✅ EPOS（电子点钞机）、POS终端、安防设备：作为待机电源或负载切换开关，兼顾低待机功耗与抗浪涌能力。 该器件强调高电压鲁棒性与热稳定性，适合空间受限但需一定散热能力的应用（推荐PCB铜箔散热）。不适用于大电流（>2A）或高频（>100kHz）硬开关场景，建议在设计中合理选配栅极驱动电阻与RC缓冲电路以优化EMI与开关应力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB1N60TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 600mA，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Tc） |
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