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- 型号： FQB19N10LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB19N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB19N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB19N10LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB19N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB19N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB19N10LTM是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，额定电压100V、连续漏极电流19A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为0.075Ω @ Vgs=10V，0.095Ω @ Vgs=5V）、快速开关特性及逻辑电平驱动能力（Vgs(th)低至1.0–2.5V），可直接由MCU或5V TTL/CMOS电路驱动。 典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：用于中功率同步整流Buck/Boost转换器的主开关或续流管，提升效率； - 电机控制：驱动直流有刷电机、步进电机驱动H桥中的单侧开关（需配对使用），适用于电动工具、家电、工业控制器； - 电源管理与负载开关：作为板级电源的热插拔保护、电池供电系统的电子保险丝或负载切换开关； - LED照明驱动：用于恒流调光电路或PWM调光开关，支持高频调光且温升可控； - 逆变器与UPS系统：在中小功率离线式逆变器中承担DC-AC桥臂开关任务（常与互补器件配合）。 其逻辑电平兼容性、稳健的雪崩耐量（UIS额定）及宽工作结温（-55℃~+175℃）使其适用于工业环境、汽车后装设备及高可靠性消费类电源系统。注意实际应用中需合理设计栅极驱动、散热及PCB布局以保障稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB19N10LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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