Datasheet下载- 型号： FQB12N60TM_AM002
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB12N60TM_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB12N60TM_AM002价格参考。Fairchild SemiconductorFQB12N60TM_AM002封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB12N60TM_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB12N60TM_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB12N60TM_AM002 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，额定电压600 V，连续漏极电流12 A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on)约0.65 Ω。其高耐压、中等电流及优化的开关特性，适用于中功率、高效率的离线式电源系统。 主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、工业电源中的主开关管（PFC级或PWM级），尤其适合反激、正激及LLC谐振拓扑； ✅ 不间断电源（UPS）与逆变器：在DC-AC转换环节承担高频开关功能，支持高效能量转换； ✅ 电机驱动：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器或家电（如空调、洗衣机）的变频驱动模块； ✅ 照明电子镇流器与LED驱动电源：满足高PF、低THD要求的隔离式/非隔离式恒流驱动方案； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC电源、电焊机辅助电源等需可靠耐压与热稳定性的场合。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈42 nC）和快速开关特性，配合安森美成熟驱动IC可提升系统效率与EMI性能。AM002后缀通常表示符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（需以官方数据手册为准），故亦可拓展至车载充电器（OBC）辅助电源等车规边缘应用（须确认具体批次认证状态）。 注：实际选型需结合散热设计、驱动能力及安全裕量综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB12N60TM_AM002 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Tc） |
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