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- 型号： FQAF14N30
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF14N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF14N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF14N30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF14N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF14N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF14N30 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-3PF封装，具有300V耐压、14A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)≈0.32Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与低栅极电荷（Qg≈48nC）。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等的主开关管或PFC升压开关，得益于高耐压与中等电流能力； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、工业风扇/泵类负载的H桥或半桥功率级； ✅ 照明电子镇流器与LED恒流驱动：在高频调光及隔离式LED驱动电路中作为主功率开关； ✅ 逆变器与UPS系统：用于DC-AC转换级中的低压侧开关（需配合高压侧器件或驱动方案）； ✅ 工业电源模块与嵌入式电源管理：如PLC电源、工控设备辅助电源等对可靠性与温度稳定性要求较高的场合。 该器件内置ESD保护与雪崩额定能力（UIS），支持硬开关应用；TO-3PF封装利于散热，适合自然冷却或小型散热器设计。注意：实际使用中需合理设计驱动电路（避免米勒效应误导通）、提供足够散热及过压/过流保护，以确保长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 11.4A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF14N30 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.4A （Tc） |
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