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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FPN660A_D26Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FPN660A_D26Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FPN660A_D26Z价格参考。Fairchild SemiconductorFPN660A_D26Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FPN660A_D26Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FPN660A_D26Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FPN660A_D26Z 是一款由安世半导体（Nexperia）推出的NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，具有高增益（hFE典型值120–270）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.15 V @ IC = 500 mA）和良好开关特性。其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关控制：广泛用于消费电子、家电及工业控制中的负载开关，如LED驱动、继电器/电磁阀驱动、小型电机启停控制等； 2. 信号放大与电平转换：适用于低频小信号放大（如传感器信号调理）、MCU GPIO扩展（将微弱逻辑信号放大为驱动能力更强的输出）及3.3V/5V系统间的电平接口； 3. 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器或LDO中用作使能控制、过流检测开关或基准偏置电路； 4. 电池供电设备：得益于低饱和压降和SOT-23小尺寸封装，适合空间受限且需能效优化的便携式设备（如无线模块、IoT节点、智能穿戴设备）。 注意：该器件非高压/大电流器件（IC(max)=800 mA，VCEO=60 V），不适用于主功率变换或高频射频应用。设计时需确保工作在安全区（SOA），并合理配置基极限流电阻以保障可靠开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 60V 3A TO-226 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FPN660A_D26Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | TO-226 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 75MHz |
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