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  • 型号: FP75R07N2E4
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FP75R07N2E4由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FP75R07N2E4价格参考。InfineonFP75R07N2E4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FP75R07N2E4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FP75R07N2E4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FP75R07N2E4 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能IGBT模块(严格归类为“IGBT单管”,非模块,但常被误称为半桥模块;实际为75A/650V单通道IGBT芯片+反并联快恢复二极管的TO-247-3封装器件),属于PrimePACK™ 2封装系列的衍生单管型号(注:FP75R07N2E4实为TO-247-3封装,非PrimePACK,属EasyPIM™或标准单管系列;其命名中“N2E4”代表第4代TRENCHSTOP™ IGBT + EmCon4二极管技术)。

典型应用场景包括:  
1. 工业变频器:用于中小功率(约15–30 kW)电机驱动主开关,凭借低导通损耗(VCE(sat) ≈ 1.7 V @ 75A)和优化的开关特性,提升能效与热管理性能;  
2. 伺服驱动与PLC控制电机系统:高开关频率(支持20 kHz以上PWM)与良好短路耐受能力(10 µs),满足动态响应与可靠性要求;  
3. 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:作为DC-AC逆变级核心开关器件,配合SiC二极管或同步整流方案,实现高效率、低EMI;  
4. 电焊机与感应加热电源:承受高频硬开关与脉冲负载,得益于鲁棒的SOA(安全工作区)和雪崩耐量。

该器件集成第四代场截止型IGBT与EmCon4软恢复二极管,兼顾低损耗与低EMI,适用于对效率、温升与系统紧凑性有较高要求的中功率电力电子设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FP75R07N2E4

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产品型号

FP75R07N2E4

产品

IGBT Silicon Modules

产品种类

IGBT 模块

功率耗散

250 W

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

75 A

安装风格

Screw

工厂包装数量

10

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

1.95 V

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