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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FP75R07N2E4由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FP75R07N2E4价格参考。InfineonFP75R07N2E4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FP75R07N2E4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FP75R07N2E4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FP75R07N2E4 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能IGBT模块(严格归类为“IGBT单管”,非模块,但常被误称为半桥模块;实际为75A/650V单通道IGBT芯片+反并联快恢复二极管的TO-247-3封装器件),属于PrimePACK™ 2封装系列的衍生单管型号(注:FP75R07N2E4实为TO-247-3封装,非PrimePACK,属EasyPIM™或标准单管系列;其命名中“N2E4”代表第4代TRENCHSTOP™ IGBT + EmCon4二极管技术)。 典型应用场景包括: 1. 工业变频器:用于中小功率(约15–30 kW)电机驱动主开关,凭借低导通损耗(VCE(sat) ≈ 1.7 V @ 75A)和优化的开关特性,提升能效与热管理性能; 2. 伺服驱动与PLC控制电机系统:高开关频率(支持20 kHz以上PWM)与良好短路耐受能力(10 µs),满足动态响应与可靠性要求; 3. 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:作为DC-AC逆变级核心开关器件,配合SiC二极管或同步整流方案,实现高效率、低EMI; 4. 电焊机与感应加热电源:承受高频硬开关与脉冲负载,得益于鲁棒的SOA(安全工作区)和雪崩耐量。 该器件集成第四代场截止型IGBT与EmCon4软恢复二极管,兼顾低损耗与低EMI,适用于对效率、温升与系统紧凑性有较高要求的中功率电力电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FP75R07N2E4 |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品型号 | FP75R07N2E4 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 功率耗散 | 250 W |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装风格 | Screw |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |