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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FMM50-025TF由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMM50-025TF价格参考。IXYSFMM50-025TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMM50-025TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMM50-025TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的FMM50-025TF是一款MOSFET阵列器件,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET),具有低导通电阻、高开关速度和良好热稳定性的特点。该器件常用于需要高效能功率控制的应用场景。 典型应用包括:工业电机驱动、电源转换系统(如DC-DC变换器、AC-DC整流模块)、开关电源(SMPS)以及逆变器设备。由于其支持大电流和高电压操作,FMM50-025TF也广泛应用于焊接设备、电焊机电源模块和高功率脉冲控制系统中。 此外,该型号适用于新能源领域,如太阳能逆变器和风能转换系统中的功率调节单元。在电动汽车充电设备或车载电源管理系统中,也可作为关键的开关元件使用。 FMM50-025TF采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适合高温、高负载环境下运行。其MOSFET阵列结构有助于简化电路设计,提高系统可靠性,因此在高效率、高密度功率集成方案中具有显著优势。 总之,FMM50-025TF主要应用于工业电力电子、可再生能源、电动交通及高性能电源系统等对功率密度与转换效率要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET MOD N-CH 250V 30A I4-PACMOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 250V 30A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS FMM50-025TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMM50-025TF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 78 nC |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 封装/箱体 | ISOPLUS i4-Pak-5 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A |
| 系列 | FMM50-025TF |