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  • 型号: FMD47-06KC5
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMD47-06KC5由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMD47-06KC5价格参考。IXYSFMD47-06KC5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMD47-06KC5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMD47-06KC5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMD47-06KC5 是 Littelfuse 公司推出的高性能分立 N 沟道 MOSFET(采用 TO-252/DDPAK 封装),额定电压 60 V,连续漏极电流达 47 A(Tc=25°C),具备低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 8.5 mΩ @ Vgs=10 V)、快速开关特性及强雪崩耐量。其典型应用场景包括:

- 汽车电子系统:用于车载 DC-DC 转换器、LED 车灯驱动、电机控制(如电子风扇、油泵、座椅调节)、电池管理系统(BMS)中的充放电主开关与预充电电路;符合 AEC-Q101 可靠性认证,适用于严苛车规环境。

- 工业电源与服务器电源:作为同步整流管或主开关管,应用于高效率 48 V 输入的 POL(负载点)转换器、通信电源模块及 UPS 系统,提升能效并降低温升。

- 电动工具与无人机动力系统:在无刷直流(BLDC)电机驱动半桥/全桥拓扑中承担高频开关任务,支持大电流脉冲输出与快速响应。

- 可再生能源设备:如光伏优化器、储能系统中的直流侧保护与能量路由开关。

该器件集成低热阻封装与稳健的体二极管,兼顾效率、可靠性和设计紧凑性,适用于需高功率密度与高可靠性的中压、大电流开关场合。(字数:398)
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5MOSFET N-Channel Super Coolmos Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道、 FREDFET

Id-ContinuousDrainCurrent

47 A

Id-连续漏极电流

47 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS FMD47-06KC5CoolMOS™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FMD47-06KC5

Qg-GateCharge

150 nC

Qg-栅极电荷

150 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

20 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 3mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 44A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS i4-PAC™

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

-

包装

管件

商标

IXYS

商标名

CoolMOS, HiPerDyn

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

i4-Pac™-5

封装/箱体

ISOPLUS i4-PAK-5

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

47A (Tc)

系列

FMD47-06KC5

通道模式

Enhancement

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