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  • 型号: FMD15-06KC5
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMD15-06KC5由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMD15-06KC5价格参考。IXYSFMD15-06KC5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMD15-06KC5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMD15-06KC5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的FMD15-06KC5是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有600V耐压、15A电流承载能力,采用TO-247封装,具备低导通电阻和优良的开关特性,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。

其典型应用场景包括:

1. 工业电源:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流模块中,作为主开关元件,实现高效电能转换。

2. 电机驱动:在工业电机控制、伺服驱动器和变频器中,用于PWM调制控制,提供快速开关响应和低损耗性能。

3. 逆变器系统:适用于太阳能光伏逆变器、不间断电源(UPS)和焊接设备中的直流到交流转换环节,支持高电压工作环境。

4. 感应加热与电磁炉:利用其高频开关能力,在高频谐振电路中实现能量高效传输。

5. 高压电源与电源模块:用于电信电源、医疗设备电源等对可靠性要求较高的场合。

FMD15-06KC5具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,适合在严苛工业环境下长期运行。搭配合适的驱动电路和散热设计,可充分发挥其性能优势,是中高功率应用中的可靠选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5MOSFET N-Channel Super Coolmos Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道、 FREDFET

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS FMD15-06KC5CoolMOS™

数据手册

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产品型号

FMD15-06KC5

Qg-GateCharge

40 nC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

165 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 790µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

165 毫欧 @ 12A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS i4-PAC™

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

-

包装

管件

商标

IXYS

商标名

CoolMOS, HiPerDyn

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

i4-Pac™-5

封装/箱体

ISOPLUS i4-PAK-5

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Tc)

系列

FMD15-06KC5

通道模式

Enhancement

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