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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FM24VN10-G由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FM24VN10-G价格参考¥59.44-¥86.02。Cypress SemiconductorFM24VN10-G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FM24VN10-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FM24VN10-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FM24VN10-G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的一款1-Mbit(128K × 8)串行F-RAM(铁电随机存取存储器),采用I²C接口(兼容1 MHz高速模式),工作电压为2.7–3.6 V,具备超低功耗、高速读写(无写入延时)、高擦写耐久性(达10¹⁴次)及数据保持10年以上等特性。 其典型应用场景包括: ✅ 工业自动化设备:用于PLC、传感器节点、HMI中实时保存运行参数、校准数据、事件日志等需频繁更新且不容丢失的关键信息; ✅ 智能电表/水气表:记录用电量、故障事件、时间戳等,满足AMI(高级计量架构)对高可靠性、宽温(-40°C ~ +85°C)和长寿命的要求; ✅ 医疗电子设备:如便携式监护仪、输液泵,安全存储患者设置、报警历史与配置参数,避免因断电导致数据丢失; ✅ 汽车电子(非安全关键域):车载T-Box、车身控制模块中存储用户偏好、诊断快照或CAN总线日志,符合AEC-Q100 Grade 2标准; ✅ 物联网终端:在电池供电的边缘节点中替代EEPROM或Flash,显著降低功耗与固件复杂度(无需页编程或擦除等待)。 注意:该器件不适用于主程序存储或大容量数据缓存,而是聚焦于“小数据、高频写、高可靠”的关键状态存储场景。其F-RAM特性规避了传统非易失存储器的写入延迟与寿命瓶颈,是工业与嵌入式系统中EEPROM/Flash的理想升级选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC FRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOICF-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | http://www.cypress.com/?docID=48138 |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,F-RAM,Cypress Semiconductor FM24VN10-G- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=48138 |
| 产品型号 | FM24VN10-G |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | http://www.cypress.com/?docID=45719http://www.cypress.com/?docID=47856 |
| 产品种类 | F-RAM |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 428-3198 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | FRAM(Ferroelectric RAM) |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工作电源电压 | 3.3 V |
| 工厂包装数量 | 194 |
| 接口 | I²C,2 线串口 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 97 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/cypress-serial-f-ram-nonvolatile-memory/3661 |
| 电压-电源 | 2 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2 V |
| 系列 | FM24VN10-G |
| 组织 | 131072 x 8 bit |
| 速度 | 3.4MHz |