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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FK26C0G1H562JN006由TDK设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK26C0G1H562JN006价格参考。TDKFK26C0G1H562JN006封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FK26C0G1H562JN006参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FK26C0G1H562JN006 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该型号“FK26C0G1H562JN006”为村田(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),品牌实为“Murata”(“-”可能为录入缺失或遮蔽),属C0G(NP0)温度特性、高稳定性、低损耗的Class I陶瓷电容。其参数解析: - 容值:5600 pF(562表示56×10² pF); - 额定电压:50 V(1H对应50 V); - 温度特性:C0G(±30 ppm/℃,-55℃~+125℃内容量变化极小); - 封装:0805(2012公制,约2.0×1.25 mm); - 精度:±5%(J); - 无卤素、符合RoHS(N006后缀通常表环保与特定端电极结构)。 典型应用场景包括: 1. 高精度振荡与定时电路:如晶振负载电容、PLL环路滤波器,依赖C0G的超低介质损耗和温度稳定性保障频率精度; 2. 射频匹配与耦合:在Wi-Fi、蓝牙等2.4 GHz频段前端电路中,用作阻抗匹配、直流隔离及信号耦合,C0G优异的Q值和ESR特性可减少插入损耗; 3. 精密模拟信号链:如ADC/DAC参考电压旁路、运算放大器补偿网络,抑制噪声并维持线性度; 4. 电源去耦:为高频数字IC(如FPGA、MCU内核供电)提供局部储能,配合其他容值电容构成宽频去耦网络。 因其高可靠性与稳定性,亦适用于工业控制、汽车电子(非安全关键部位)及医疗设备等对长期性能要求严苛的领域。