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型号： FK18C0G1H3R3CN006
制造商： TDK
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FK18C0G1H3R3CN006由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK18C0G1H3R3CN006价格参考。TDKFK18C0G1H3R3CN006封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FK18C0G1H3R3CN006参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FK18C0G1H3R3CN006 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

该型号“FK18C0G1H3R3CN006”为村田（Murata）品牌（注：“-”应为品牌信息缺失或误填，实际该型号属Murata标准编码体系），属于多层陶瓷电容器（MLCC），具体参数解析如下：  
- “C0G”表示I类温度特性，具有极高的稳定性（±30 ppm/℃）、低损耗（DF < 0.1%）、优异的频率与电压特性；  
- “1H”对应额定电压50 VDC；  
- “3R3”代表标称容量3.3 pF；  
- 封装为0603（1608公制），N006表示编带包装规格。  

典型应用场景包括：  
1. 高频谐振与匹配电路：如射频前端（RF PA、LNA）、天线调谐、蓝牙/WiFi 2.4 GHz/5 GHz模块中的阻抗匹配网络和滤波器，利用其超低ESL/ESR及C0G材料在GHz频段仍保持稳定容值；  
2. 高精度定时与振荡电路：用于晶体振荡器（XO）、实时时钟（RTC）负载电容，保障频率长期稳定性（Δf/f ≤ ±50 ppm）；  
3. 高速数字接口旁路：在SerDes、USB 3.0、PCIe等高速信号链中作局部去耦，抑制高频噪声；  
4. 医疗/工业传感器信号调理：在低噪声放大器（LNA）输入端作精密耦合或反馈电容，避免温漂引入误差。  

因其容量小（3.3 pF）、精度高（C0G，容差通常±0.25 pF）、无老化效应，不适用于电源滤波或大电流退耦等场景。需注意PCB布局时缩短走线以降低寄生电感影响。

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