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- 型号： FJZ594JBTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJZ594JBTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJZ594JBTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJZ594JBTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJZ594JBTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJZ594JBTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJZ594JBTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道结型场效应晶体管（P-Channel JFET），采用SOT-23表面贴装封装，具有低栅极泄漏电流、高输入阻抗和良好的开关/放大特性。其典型应用场景包括： 1. 低噪声前置放大电路：适用于音频信号链、传感器信号调理等对噪声敏感的模拟前端，利用JFET高输入阻抗与低输入电容特性，减少信号源负载影响； 2. 电压控制开关/模拟开关：在低功耗便携设备中作为常闭型（Normally-On）开关，用于电源管理或信号通路切换； 3. 恒流源/电流镜电路：凭借JFET固有的饱和区电流稳定性，可构建精密偏置电流源，用于运算放大器、LED驱动等； 4. 射频/高频小信号放大：适用于VHF以下频段的简单射频检波或缓冲级（需注意其fₜ有限，非高频主力器件）； 5. 工业传感接口：如压力、温度传感器的信号调理模块中，用作高阻抗输入缓冲，提升系统抗干扰能力。 该器件工作电压范围宽（Vₚ ≈ –4 V，Vₐₛₛ ≈ –10 V），静态功耗极低，适合电池供电或空间受限的嵌入式系统。需注意其为P沟道结构，使用时栅极需负偏置以关断，设计中应匹配相应驱动逻辑。总体而言，FJZ594JBTF 主要面向中小功率、低噪声、高输入阻抗的模拟信号处理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 20V 1MA 100MW SOT623F |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FJZ594JBTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 600mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 150µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | SOT-623F |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-623F |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 20V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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