Datasheet下载- 型号： FJV3108RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3108RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3108RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3108RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV3108RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV3108RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV3108RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型数字晶体管（即带内置偏置电阻的预偏置BJT），采用SOT-23封装，集成基极-发射极（R1）和基极-集电极（R2）两个精密偏置电阻（典型值R1 = R2 = 10 kΩ），支持直接由低驱动能力的逻辑信号（如MCU GPIO、CMOS输出）控制。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关控制：如LED驱动（指示灯、背光）、继电器/蜂鸣器驱动、小型电磁阀控制等，无需外置基极电阻，简化PCB设计并提升可靠性； ✅ 电平转换与信号调理：在3.3V/5V逻辑系统中实现电压适配或反相开关功能； ✅ 电池供电设备：低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC = 10mA）和低输入驱动电流（IB ≈ 0.3mA @ VIN = 5V）有助于延长便携设备续航； ✅ 工业与消费类电子接口电路：如传感器信号缓冲、微控制器I/O扩展、电源使能（EN）控制等。 该器件具备ESD保护（HBM ≥ 4kV）、宽工作温度范围（−55°C ~ +150°C）及AEC-Q101认证（适用于汽车级应用），亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的非安全关键开关功能。注意：不适用于线性放大或高频开关（fT ≈ 250MHz，但未优化射频性能），且最大集电极电流IC为100mA（连续），需合理设计负载与散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV3108RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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