Datasheet下载- 型号： FJNS4214RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4214RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4214RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4214RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4214RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4214RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4214RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-523超小型封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 47 kΩ，R₂ = 47 kΩ），支持直接逻辑电平驱动，无需外置偏置电阻。 其主要应用场景包括： ✅ 数字开关电路：广泛用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端的负载开关，如LED驱动、继电器/蜂鸣器控制、小功率MOSFET栅极驱动等； ✅ 信号电平转换与接口缓冲：在3.3V/5V系统中实现电平适配与电流增强，提升驱动能力； ✅ 便携式电子设备：得益于SOT-523封装（尺寸仅1.6×0.8×0.8 mm）及低功耗特性，适用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的应用； ✅ 电池供电系统：具备较低的饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC=10 mA）和关断漏电流（ICEO < 100 nA），有助于延长电池寿命； ✅ 工业与消费类IoT节点：用于传感器信号调理、状态指示、电源使能（EN）控制等简单但高可靠性开关功能。 该器件不适用于线性放大或大电流（>100 mA）场景，设计时需注意最大集电极电流（IC = 100 mA）、功耗（PD = 200 mW）及ESD防护（HBM 2 kV）。整体以简化设计、节省PCB面积、提高量产一致性为优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4214RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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