Datasheet下载- 型号： FJNS4212RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4212RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4212RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4212RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4212RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4212RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4212RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-523超小型封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流逻辑信号（如1.8V/3.3V/5V）安全、可靠地转换为足够驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极的开关信号； 2. LED恒流/开关控制：凭借内置偏置电阻简化外围电路，适用于便携设备背光、状态指示灯等中低功率LED驱动； 3. 负载开关与电源管理：在电池供电设备（如TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点）中用作高效、低功耗的电源通断控制开关； 4. 信号调理与简单放大：适用于对增益要求不高、强调高可靠性与小尺寸的弱信号开关/缓冲场合（如传感器唤醒电路、复位信号整形）。 该器件具有高直流电流增益（hFE=100–600）、低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ IC=10mA）、优异的温度稳定性及ESD防护能力（HBM ≥2kV），特别适合空间受限、需减少BOM数量与PCB面积的便携式与高集成度电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4212RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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